Vào hôm 21/12 vừa qua, Samsung đã công bố chuẩn bộ nhớ DRAM DDR5 12nm đầu tiên của mình.
Samsung đã chính thức công bố phiên bản cập nhật của DRAM DDR5 16GB. Bộ nhớ được sản xuất trên quy trình công nghệ lớp 12nm, nâng cấp từ sản phẩm EUV 14nm hiện có trên thị trường.
DRAM DDR5 mới cũng tương thích với các sản phẩm của AMD – đã được tối ưu hóa và xác thực trên nền tảng Zen.
Ảnh minh hoạ.
Theo ông Jooyoung Lee, Phó chủ tịch Điều hành Sản phẩm & Công nghệ DRAM tại Samsung, tiêu chuẩn mới sẽ là yếu tố quyết định chính trong việc thúc đẩy việc áp dụng DRAM DDR5 trên toàn thị trường.
Chuẩn bộ nhớ được sản xuất nhờ sử dụng vật liệu mới, làm tăng điện dung của vi mạch và công nghệ thiết kế độc quyền giúp cải thiện các đặc tính mạch quan trọng.
Samsung công bố DRAM DDR5 12nm đầu tiên của mình.
DRAM mới được sản xuất dựa trên kỹ thuật in khắc EUV – Extreme ultraviolet (Tia siêu cực tím), cho phép tăng mật độ khuôn và năng suất tấm wafer tốt hơn 20%. Kỹ thuật này cũng tiêu thụ ít điện năng hơn 23%, mở ra cơ hội cho các công ty IT vận hành thân thiện với môi trường hơn.
Các thẻ nhớ đầu tiên áp dụng chuẩn DRAM DDR5 mới sẽ bắt đầu được bán ra vào năm 2023.